Micron ketina pristatyti 20 kartų spartesnę operatyviąją atm

[Fozzas]

Puslaidininkų gamintoja Micron, panaudojus Hybrid Memory Cube technologiją, ketina pristatyti net 20 kartų spartesnę DRAM atmintį, nei šiuo metu geba pasigirti sparčiausi DDR3 moduliai.

Naujieji, net 128 GB duomenų per sekundę gebantys praleisti HMC moduliai jau buvo pademonstruoti plačiajai masei praeitą savaitę, o tai net 10 kartų viršyja dabartinių DDR3 1600 modulių pralaidumą. Pasak Micron, jie gebės pasiūlyti ir 256GB/s pasiekiančių HMC modulių, viso labo, padidinant elektros sąnaudas vos 10%, lyginant su šiuolaikine DDR3 atmintimi. Tokios spartos paslaptis slypi keliuose sluoksniuose atminties mikroschemų, kurios viena su kita bendraus naudojant TSV (Through-silicon via) signalus. Hybrid Memory Cube sistema bus ir kur kas kompaktiškesnė. Lyginant su dabartiniais RDIMM moduliais, HMC užims iki 90% mažiau vietos.

Kol kas Micron nekomentuoja, kada tokio tipo atmintis gali pasirodyti prekyboje, tačiau panašu, jog tai gaivus lašas AMD APU sistemoms, kuriose CPU branduoliai ir integruota grafinė plokštė turi labai labai ribotą apsikeitimą duomenimis.

Technews.lt