Iki 2028 m. gali pasirodyti segnetoelektrikų pagrindu sukurti tranzistoriai

[eXodius1337]

 

Organizacijos ITRS (International Technology Roadmap) manymu, ateityje gali pasirodyti perspektyvi puslaidininkių gamyba, naudojant germanį ir galio arsenidą. Iš šių medžiagų sukurtus tranzistorių kanalai gali būti suderinami su šiandien naudojamu silicio plokštelių apdorojimo ciklu, o tai palengvina naujos technologijos įsisavinimą, rašo EETimes.

 

Organizacijos ITRS teigimu, naujos kartos puslaidininkiai su galio arsenidu arba germaniu rinkoje gali pasirodyti iki 2028 m. Tai leistų pratęsti Mūro dėsnio galiojimą, kuriam grėsmę kelia greitu metu visas savo galimybes išnaudosiantis silicis.

 

 

Kaip vieną iš galimų pakaitalų grupė amerikiečių universitetų kuria tranzistorių kanalus, kurių pagrindą sudaro segnetoelektrikai. Taip vadinami FeFET (ferroelectric field-effect transistor) tranzistoriai kol kas egzistuoja tik popieriuje: kuriamas ir tiriamas kompiuterinis tranzistoriaus modelis.

 

Antra vertus, eksperimentuojama ir praktikoje: pavyzdžiui, bandoma darbuotis su tokiomis medžiagomis, kaip bario titanatas (BaTiO3). Kasdienių produktų gamybai ši medžiaga netinkama, kadangi reikalinga maždaug 120 laipsnių pagal Celsijų temperatūra. Tiesa, šiuo atveju labiau tiriamas medžiagos jautrumas.

 

 

Tranzistoriai su segnetoelektrikais svarbūs ne tik todėl, kad leidžia naudoti vis pažangesnius technologinius procesus. Jie pasižymi atminties efektu, kuris būdingas šioms medžiagoms. Tai galimybė ne tik pratęsti Mūro dėsnio galiojimą, tačiau šansas sukurti energetiškai nepriklausomą atmintį, kuri leistų kompiuteriams įsijungti akimirksniu.

 

Šaltinis: FaceIT.LT